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参数资料
| 型号： | FDD6635 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6635DKR |
Typical Characteristics
80
V GS =10V
4.0V
2.4
70
60
6.0V
4.5V
2.2
2
50
40
30
3.5V
1.8
1.6
1.4
V GS = 3.5V
4.0V
4.5V
20
10
3.0V
1.2
1
5.0V
6.0V
10V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1.8
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.029
1.6
1.4
I D = 15A
V GS = 10V
0.025
0.021
I D = 7.5A
T A = 125 o C
1.2
1
0.8
0.6
0.017
0.013
0.009
0.005
T A = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
80
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
70
60
V DS = 5V
T A =-55 o C
125 o C
25 o C
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
50
40
0.1
25 o C
30
0.01
-55 o C
20
0.001
10
0
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
FDD6635 Rev. C2(W)
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6637 | 功能描述:MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252 |
| FDD6637_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6637_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m?? |
| FDD6637_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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