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参数资料
| 型号： | FDD6635 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6635DKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ
Max Units
Drain–Source Diode Characteristics
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V,
I S = 15 A
(Note 2)
0.8
1.2
V
Voltage
trr
Qrr
Diode Reverse Recovery Time
Diode Reverse Recovery Charge
IF = 15 A,
diF/dt = 100 A/μs
26
16
ns
nC
Notes:
1. R θ JA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by the user's board design.
a) R θ JA = 40°C/W when mounted on a
1in 2 pad of 2 oz copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty Cycle < 2.0%
P D
b) R θ JA = 96°C/W when mounted
on a minimum pad.
3. Maximum current is calculated as:
R DS(ON)
where P D is maximum power dissipation at T C = 25°C and R DS(on) is at T J(max) and V GS = 10V. Package current limitation is 21A
4. BV(avalanche) Single-Pulse rating is guaranteed if device is operated within the UIS SOA boundary of the device.
5. Starting T J = 25°C, L = 1mH, I AS = 15A, V DD = 35V, V GS = 10V
FDD6635 Rev. C2(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6637 | 功能描述:MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252 |
| FDD6637_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6637_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m?? |
| FDD6637_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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