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参数资料
| 型号： | FDD6N20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6N20TMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
20
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
20
10
150 C
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
o
25 C
-55 C
1
1
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
30
0.1
2
*Notes:
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6 8
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.5
2.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
50
150 C
25 C
1.5
1.0
0.5
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.0
0
2
4 6 8 10
o
12
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1000
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 50V
V DS = 100V
V DS = 160V
C iss
100
C rss
6
4
10
*Note:
1. V GS = 0V
2
5
0.1
2. f = 1MHz
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
1
*Note: I D = 6A
2 3 4
Q g , Total Gate Charge [nC]
5
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N20TM Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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