型号: | FDD6N20TM |
厂商: | Fairchild Semiconductor |
文件页数: | 4/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
产品目录绘图: | DPAK, TO-252(AA) |
标准包装: | 1 |
系列: | UniFET™ |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss): | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 4.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 800 毫欧 @ 2.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 6.1nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 230pF @ 25V |
功率 - 最大: | 40W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装: | D-Pak |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | FDD6N20TMDKR |