- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD6N20TM (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD6N20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 230pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6N20TMDKR |
Mechanical Dimensions
Figure 16. TO252 (D-PAK), Molded, 3-Lead, Option AA&AB
Package drawings are provided as a service to customers considering Fairchild components. Drawings may change in any manner
without notice. Please note the revision and/or date on the drawing and contact a Fairchild Semiconductor representative to verify or
obtain the most recent revision. Package specifications do not expand the terms of Fairchild’s worldwide terms and conditions, specif-
ically the warranty therein, which covers Fairchild products.
Always visit Fairchild Semiconductor ’s online packaging area for the most recent package drawings:
http://www.fairchildsemi.com/package/packageDetails.html?id=PN_TT252-003
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N20TM Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| FDD6N50FTF | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| FDD6N50TM | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| FDD7N20TM | MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK |
| FDD7N60NZTM | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDD6N25TF | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDD6N50F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 5.5A, 1.15ヘ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。