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参数资料
| 型号： | FDDS100H06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART HIGH SIDE SWITCH DPAK-5 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 100 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 电流 - 峰值输出： | 12A |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 37 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics
At Tj=25 ? C, V bb =12V unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Conditions
Min. Typ. Max. Unit
Theramal Characteristics
Thermal resistance
R thJC
R thJA
(junction to case)
Mini. footprint (junction to ambient)
1 Inch^2 device on PCB 1)
-
-
-
-
99
35
3
45
K/W
Load Switching Capability and Characteristics
On-state resistance(Pin3 to pin 5)
R ON
V IN =5V, Vbb=12V, I L =2.5A Tj=25 ? C
-
80
100
m ?
V IN =5V, Vbb=12V, I L =2.5A Tj=150 ? C
160
200
Nominal load current( tab to pin5)
Turn-on time ( to 90% V OUT)
Turn-off time ( to 10% V OUT)
Slew rate on (10% to 30% V OUT )
Slew rate off (70% to 40% V OUT )
I L(NOM)
t on
t off
dV / dt on
-dV / dt off
SMD 1) VON<= 0.5V, T a =85 ? C, T j <=150 ? C
R L =12 ??? T j = -40~ 150 ? C
R L =12 ??? T j = -40~ 150 ? C
R L =12 ??? T j = -40~ 150 ? C
R L =12 ??? T j = -40~ 150 ? C
2.8
24
10
0.2
0.2
3.0
70
66
0.8
0.8
-
170
170
1.5
3
A
us
V/us
V/us
Operating Parameters
Operating Voltage
Over voltage shutdown
Over voltage restart
Over voltage hysteresis
V bb(ON)
V bb(SD)
V bb(RE)
V bb(HYS)
T j = -40~ 150 ? C
T j = -40~ 150 ? C
T j = -40~ 150 ? C
T j = -40~ 150 ? C
5.5
38
37.5
-
-
43.5
-
0.5
37
48
-
-
V
V
V
V
Under voltage shutdown
Under voltage restart
2)
V bb(u)
V bb(u rst)
T j = -40~ 150 ? C
T j = -40~ 150 ? C
2.5
-
3.5
4.2
-
5.2
V
V
Under voltage restart of charge pump
V bb(ucp)
T j = -40~ 150 ? C
5
5.5
V
Overvoltage protection 3)
Standby current
Leakage output current
V bb(AZ)
I bb(off)
I L(off)
I bb =40mA, T j =-40 ~ 150 ? C
V IN =0, T j = -40~ 150 ? C
V IN =0, T j = -40~ 150 ? C
49
-
-
54
4.8
-
62
15
15
V
uA
uA
Operating current
4)
I bb(GND)
V IN =5V, T j = -40~ 150 ? C
-
0.5
2.0
mA
Note:
1) Device on76.2mm * 114mm * 1.57mm glass epoxyPCB FR4 with 1inch^2(one layer 70um) copper area. still air condition.
2) Refer to page 13.Should reset IN to restart in case battery voltage comes back to normal operating range after undervoltage shutdown.
3) See also VON(CL) in tabel of protection functions and circuit diagram on page 14.
4) Add I ST , if I ST >0, and add I IN , if V IN > 5.5V
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDDS100H06_F085 Rev. 1.0.0
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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