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参数资料
| 型号： | FDDS100H06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SMART HIGH SIDE SWITCH DPAK-5 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 高端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 100 毫欧 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 3A |
| 电流 - 峰值输出： | 12A |
| 电源电压： | 5.5 V ~ 37 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Application Information
1. Truth Table
Sense current under fault conditions
Normal operation
Open load
Short circuit to Vbb
Short circuit to GND
Overtemperature
Undervoltage
Overvoltage shutdown
Input Level
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
Output Level
L
H
X1)
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
Status
H
H
H
L
L 2)
H (L 3) )
H
L 4)
L
L
H
H (L 5) )
H
H
L = “ LOW “ Level, Z = High impedance, potential depends on external circuit, H = “HIGH” Level
Notes:
1) Power TR off, high impedance.
2) An short of output to Vbb ,in the off state, causes an internal current from output to ground. If RGND is used, an offset voltage at the GND and ST pins will occure and V STL
signal may be errorious.
3) Low resistance to Vbb may be detected in ON-state by the no-load-detection.
4) Latched and reset by input. Low resistance to Vbb may be detected in ON-state by the no-load-detection.
5) Should reset IN to restart in case battery voltage comes back to normal operating range after undervoltage shutdown and status = “Low” level.
2.Terms
I bb
I IN
I ST
IN
ST
V bb
GND
OUT
I L
I GND
R GND
Notes:
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDDS100H06_F085 Rev. 1.0.0
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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