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参数资料
| 型号： | FDFS6N548 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS6N548DKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
30
22
V
mV/° C
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 24V,
V GS = 0V
T J = 125°C
1
250
μ A
I GSS
Gate to Source Leakage Current
V GS = ±20V, V DS = 0V
±100
nA
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th )
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
1.2
1.8
-5
2.5
V
mV/°C
V GS = 10V, I D = 7A
19
23
r DS(on)
Drain to Source On-Resistance
V GS = 4.5V, I D = 6A
23
30
m ?
V GS = 10V, I D = 7A, T J = 125°C
26
31
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5V, I D = 7A
20
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 15V, V GS = 0V,
f = 1MHz
f = 1MHz
525
100
65
0.8
700
133
100
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge at 10V
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
V DD = 15V, I D = 7A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
V DS = 15V, I D = 7A
V GS = 10V
6
2
14
2
9
1.5
2
12
10
25
10
13
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0V, I S = 7A
I F = 7A, di/dt = 100A/ μ s
(Note2)
0.90
23
14
1.25
35
21
V
ns
nC
Schottky Diode Characteristics
V R
Reverse Breakdown Voltage
I R = -1mA
-30
V
I R
V F
Reverse Leakage
Forward Voltage
V R = -10V
I F = 100mA
I F = 2A
T J = 25°C
T J = 125°C
T J = 25°C
T J = 125°C
T J = 25°C
T J = 125°C
-39
-18
225
140
364
290
-250
280
450
μ A
mA
mV
FDFS6N548 Rev.B
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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