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参数资料
| 型号： | FDFS6N754 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 299pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDFS6N754DKR |
Final Datasheet
August 2006
FDFS6N754
Integrated N-Channel
PowerTrench ?
MOSFET and Schottky Diode
tm
30V, 4A, 56m ?
Features
Max r DS(on) = 56m ? at V GS = 0V, I D = 4A
Max r DS(on) = 75m ? at V GS = 4.5V, I D = 3.5A
V F < 0.45V @ 2A
V F < 0.28V @ 100mA
Schottky and MOSFET incorporated into single power
surface mount SO-8 package
Electrically independent Schottky and MOSFET pinout
for design flexibility
Low Gate Charge (Qg = 4nC)
Low Miller Charge
General Description
The FDFS6N754 combines the exceptional performance of
Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very
low forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-
8 package.
This device is designed specifically as a single package
solution for DC to DC converters. It features a fast
switching, low gate charge MOSFET with very low on-state
resistance. The independently connected Schottky diode
allows its use in a variety of DC/DC converter topologies.
Applications
DC/DC converters
C
C
D
D
A 1
A 2
8 C
7 C
SO-8
Pin 1
A
A
S
G
S 3
G 4
6 D
5 D
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
P D
V RRM
I O
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Power Dissipation for Dual Operation
Power Dissipation for Single Operation
Schottky Repetitive Peak Reverse Voltage
Schottky Average Forward Current
Operating and Storage Temperature
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1a)
4
20
2
1.6
20
2
-55 to 150
A
W
V
A
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
°C/W
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDFS6N754
Device
FDFS6N754
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFS6N754 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDG.1B.307.CLAD42 | 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG LONG VERSION RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A |
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