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参数资料
| 型号： | FDFS6N754 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 299pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDFS6N754DKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to
25°C
30
24.5
V
mV/°C
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 24V
V GS = 0V
T J = 125°C
1
20
μ A
I GSS
Gate to Source Leakage Current
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100
nA
On Characteristics (Note 2)
V GS(th)
? V GS(th )
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V DS = V GS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to
25°C
1
1.7
-4.2
2.5
V
mV/°C
V GS = 10V, I D = 4A
42
56
r DS(on)
g FS
Drain to Source On Resistance
Forward Transconductance
V GS = 4.5V, I D =3.5A
V GS = 10V, I D = 4A,
T J = 125°C
V DS = 5V, I D = 4A
53
61
10
75
81
m ?
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 15V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
f = 1.0MHz
225
80
42
5.1
299
107
63
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics (Note 2)
t d(on)
Turn-On Delay Time
6
12
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g(5)
Q gs
Q gd
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge at 10V
Total Gate Charge at 5V
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
V DD = 15V, I D = 1A
V GS = 10V, R GS = 6 ?
V DS = 15V,
I D = 4A
8
20
2
4
2
0.6
1
16
32
10
6
3
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
V SD
Source to Drain Diode Forward Voltage V GS = 0V, I S = 1.3A (Note 2)
0.8
1.2
V
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I F = 4A, di/dt = 100A/ μ s
I F = 4A, di/dt = 100A/ μ s
13
4
20
6
ns
nC
Schottky Diode Characteristics
V R
I R
V F
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage
Forward Voltage
I R = - 1mA
V R = -10V
I F = 100mA
I F = 2A
T J = 25 o C
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = 125 o C
-30
39
18
225
140
364
290
250
280
450
V
μ A
mA
mV
FDFS6N754 Rev. A
2
www.fairchildsemi.com
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