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参数资料
| 型号： | FDFS6N754 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 56 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 299pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDFS6N754DKR |
Typical Characteristics T J
100
= 25°C unless otherwise noted
0.1
T J = 125 o C
10
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.01
1E-3
1E-4
0.01
1E-5
T J = 25 o C
1E-3
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
20
1E-6
0
5
10 15 20 25
30
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 13. Schottky Diode Forward Voltage
V R , REVERSE VOLATGE(V)
Figure 14. Schottky Diode Reverse Current
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
FDFS6N754 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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