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参数资料
| 型号： | FDFS6N548 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS6N548DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 7A
V DD = 15V
1000
C iss
6
V DD = 10V
C oss
4
2
V DD = 20V
100
f = 1MHz
C rss
V GS = 0V
0
0
2
4 6
8
10
40
0.1
1 10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
8
7
6
8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
5
4
6
V GS = 10V
3
2
T J = 125 o C
T J
= 25 o C
4
V GS = 4.5V
R θ JA = 78 C/W
2
o
1
0.01
0.1 1
10 20
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
150 – T
-----------------------
50
10
100us
300
100
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
A
I = I 25
125
1
0.1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
1ms
10ms
100ms
1s
10
T A = 25 o C
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25 o C
10
10s
DC
80
1
0.5
-4
SINGLE PULSE
-3 -2
-1
0
1
2
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDFS6N548 Rev.B
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDFS6N754 | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC |
| FDG1024NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG311N | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 |
| FDG312P | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| FDG313N_D87Z | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDFS6N754 | 功能描述:MOSFET 30V 4A 56OHM NCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG.1B.110.CZZ | 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG LONG VERSION RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A |
| FDG.1B.155.LNN | 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG LONG VERSION RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A |
| FDG.1B.304.CLAD52 | 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG LONG VERSION RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A |
| FDG.1B.306.CLAD76 | 功能描述:环形推拉式连接器 STRAIGHT PLUG LONG VERSION RoHS:否 制造商:Hirose Connector 产品类型:Connectors 系列:HR10 触点类型:Socket (Female) 外壳类型:Receptacle 触点数量:4 外壳大小:7 安装风格:Panel 端接类型:Solder 电流额定值:2 A |
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