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参数资料
| 型号： | FDG6316P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 146pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6316PDKR |
Typical Characteristics
2
3
V GS =-4.5V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
2.6
V GS =-1.5V
1.5
2.2
1
-1.5V
1.8
-1.8V
-2.0V
0.5
1.4
1
-2.5V
-3.0V
-4.5V
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
3.5
0.6
0
0.5
1
-I D , DRAIN CURRENT (A)
1.5
2
Figure 1. On-Region Characteristics.
1.4
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.75
1.3
I D = -0.7A
V GS = -4.5V
0.65
I D = -0.4A
1.2
0.55
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.45
0.35
0.25
0.15
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
1.5
V DS = -5V
T A = -55 o C
25 o C
-125 o C
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
0.1
1
0.5
0.01
0.001
25 o C
-55 o C
0
0.5
1 1.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
2
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDG6316P Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6317NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6316P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG6316P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:DUAL MOSFEL -12V/0.7A , SC70 |
| FDG6316P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6317NZ | 功能描述:MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6318P | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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