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参数资料
| 型号： | FDG6316P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF P CH DUAL 12V 700MA SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 146pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6316PDKR |
Typical Characteristics
5
4
I D = -0.7A
V DS = -4V
-6V
250
200
f = 1 MHz
V GS = 0 V
3
2
1
0
-8V
150
100
50
0
C ISS
C OSS
C RSS
0
0.5
1
1.5
2
0
2
4
6
8
10
12
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
0.1
R DS(ON) LIMIT
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
DC
1ms
10ms
100ms
1s
100 μ s
8
6
4
SINGLE PULSE
R θ JA = 415°C/W
T A = 25°C
R θ JA = 415 o C/W
T A = 25 o C
2
0.01
0.1
1
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
R θ JA = 415 C/W
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDG6316P Rev D (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6317NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318PZ | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6318P | MOSFET P-CH DUAL 20V SC70-6 |
| FDG6320C_D87Z | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| FDG6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6316P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDG6316P_G | 制造商:Fairchild 功能描述:DUAL MOSFEL -12V/0.7A , SC70 |
| FDG6316P_Q | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6317NZ | 功能描述:MOSFET Dual 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6318P | 功能描述:MOSFET Dual PCh Digital RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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