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参数资料
| 型号： | FDH45N50F_F133 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 137nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
2
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
150 C
1
o
10
25 C
-55 C
1
o
o
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.30
0.25
0.20
V GS = 10V
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
10
0.15
1
150 ℃
25 ℃
0.10
V GS = 20V
0.05
※ Note : T J = 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12000
10000
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
8000
6000
4000
C iss
* Note :
8
6
4
2000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
Note : I D = 48A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
20
40
60
80
100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH45N50F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH5500_F085 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| FDI030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| FDI038AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
| FDI040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH50N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH50N50_F133 | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH50SG | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:.050 IDC CONNECTORS DUAL ROW SOCKETS & TRANSITION PLUGS |
| FDH50T | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:.050 IDC CONNECTORS DUAL ROW SOCKETS & TRANSITION PLUGS |
| FDH-50-T | 功能描述:集管和线壳 50 pos. IDC FOUR ROW TRANSITION PLUG RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector |
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