- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDH45N50F_F133 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDH45N50F_F133 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 137nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6630pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 22.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
50
10 μ s
10
2
100 μ s
1 ms
40
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10 ms
100 ms
DC
30
20
10
0
※ Notes :
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
o
o
3. Single Pulse
10
10
10
10
10
10
-1
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 11. Typical Drain Current Slope
vs. Gate Resistance
4,000
Notes :
o
Figure 12. Typical Drain-Source Voltage
Slope vs. Gate Resistance
45
Notes :
4. T J = 125 C
4. T J = 125 C?
3,500
3,000
2,500
di/dt(on)
1. V DS = 400 V
2. V GS = 12 V
3. I D = 25A
o
40
35
30
25
dv/dt(on)
1. V DS = 400 V
2. V GS = 12 V
3. I D = 25A
o
2,000
20
1,500
15
dv/dt(off)
1,000
500
di/dt(off)
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
R G , Gate resistance [ Ω ]
R G , Gate resistance [ Ω ]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH45N50F Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH5500_F085 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| FDI030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| FDI038AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
| FDI040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH50N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH50N50_F133 | 功能描述:MOSFET N-CH/500V/50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH50SG | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:.050 IDC CONNECTORS DUAL ROW SOCKETS & TRANSITION PLUGS |
| FDH50T | 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:.050 IDC CONNECTORS DUAL ROW SOCKETS & TRANSITION PLUGS |
| FDH-50-T | 功能描述:集管和线壳 50 pos. IDC FOUR ROW TRANSITION PLUG RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。