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参数资料
| 型号： | FDH50N50_F133 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 48A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 137nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 625W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2
Top :
V GS
15.0 V
100
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
10
150 C
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
10
o
25 C
o
10
-55 C
2. T C = 25 C
0
Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
o
Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
-1
0
1
0.1
4
5
6
7
8
9
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.4
0.3
V GS = 10V
0.2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
160
120
80
150 C
25 C
0.1
V GS = 20V
40
o
o
Notes :
1. V GS = 0V
Note : T J = 25 C
o
2. 250 μ s Pulse Test
0.0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12,000
10,000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
8,000
8
6,000
C iss
6
4,000
C oss
Notes :
4
1. V GS = 0 V
2,000
C rss
2. f = 1 MHz
2
Note : I D = 48A
10
10
10
10
0
-1
0
1
2
0
0
20
40
60
80
100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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