参数资料
型号: FDH50N50_F133
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 50A TO-247
标准包装: 30
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 48A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 105 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 137nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6460pF @ 25V
功率 - 最大: 625W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商设备封装: TO-247
包装: 管件
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 16. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 17. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 18. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH50N50 / FDA50N50 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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