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参数资料
| 型号： | FDI030N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| 产品目录绘图： | I-PAK, I2PAK Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 151nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9815pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
700
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
400
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
6.0 V
150 C
-55 C
25 C
100
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
2. T C = 25 C
10
0.1
1
o
5
1
2
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
3.5
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
3.0
150 C
25 C
V GS = 10V
o
o
2.5
V GS = 20V
10
*Notes:
*Note: T C = 25 C
2.0
0
70
140 210 280 350
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
9000
C iss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 15V
V DS = 30V
V DS = 48V
6
6000
3000
C oss
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
0.1
1 10
30
0
0
20
*Note: I D = 75A
40 60 80 100
120
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDI030N06 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI038AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
| FDI040N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| FDI045N10A | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3 |
| FDI047AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB |
| FDI150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI038AN06A0 | 功能描述:MOSFET 60V 80a 0.0038 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI038AN06A0_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.8m?? |
| FDI038AN06A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDI038N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench? MOSFET 60V, 168A, 4.0mW |
| FDI040N06 | 功能描述:MOSFET PT3 Low Qg 60V, 4.0Mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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