参数资料
型号: FDI030N06
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
产品目录绘图: I-PAK, I2PAK Pkg
标准包装: 50
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫欧 @ 75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 151nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9815pF @ 25V
功率 - 最大: 231W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: I2PAK
包装: 管件
产品目录页面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
I G = const .
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDI030N06 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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