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参数资料
| 型号： | FDI038AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
250
1.0
200
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
0.8
150
0.6
100
0.4
0.2
0
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( C)
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
o
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
3000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
1000
IN THIS REGION
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
10
V GS = 10V
I = I 25
175 - T C
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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