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参数资料
| 型号： | FDI038AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.8 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
SABER Electrical Model
rev July 4, 2002
template FDP038AN06A0 n2,n1,n3 = m_temp
electrical n2,n1,n3
number m_temp=25
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=2.4e-11,nl=1.04,rs=1.65e-3,trs1=2.7e-3,trs2=2e-7,cjo=4.35e-9,m=5.4e-1,tt=1e-9,xti=3.9)
dp..model dbreakmod = (rs=1.5e-1,trs1=1e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=1.7e-9,isl=10e-30,nl=10,m=0.47)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.3,kp=9,is=1e-30, tox=1)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=2.72,kp=0.03,is=1e-30, tox=1,rs=0.1 DP LCAP
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.5,voff=-4)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.00,kp=275,is=1e-30, tox=1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4,voff=-1.5)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1,voff=0.5)
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=0.5,voff=-1)
c.ca n12 n8 = 1.5e-9
c.cb n15 n14 = 1.5e-9
c.cin n6 n8 = 6.1e-9
-
)
10
RSLC2
5
RSLC1
51
ISCL
50
DBREAK
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 69.3
9
20
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
GATE
1
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
LGATE
RLGATE
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
RSOURCE
RLSOURCE
i.it n8 n17 = 1
l.lgate n1 n9 = 4.81e-9
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 4.63e-9
CA
12
S1A
S1B
13
8
S2A
14
13
S2B
13
+
15
CB
+
14
17
IT
RBREAK
18
RVTEMP
19
-
res.rlgate n1 n9 = 48.1
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 46.3
EGS
-
6
8
EDS
-
5
8
8
+
22
VBAT
RVTHRES
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, temp=m_temp, l=1u, w=1u
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, temp=m_temp, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, temp=m_temp, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=9e-4,tc2=-9e-7
res.rdrain n50 n16 = 1e-4, tc1=4e-2,tc2=3e-4
res.rgate n9 n20 = 1.36
res.rslc1 n5 n51 = 1e-6, tc1=1e-3,tc2=1e-5
res.rslc2 n5 n50 = 1e3
res.rsource n8 n7 = 2.8e-3, tc1=5e-3,tc2=1e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-6.7e-3,tc2=-1.5e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-2.5e-3,tc2=1e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/250))** 10))
}
? 200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 Rev. C1
8
www.fairchildsemi.com
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