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参数资料
| 型号： | FDMA7630 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1360pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA7630DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
24
3.0
20
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
2.5
V GS = 3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
16
V GS = 4 V
12
V GS = 3.5 V
2.0
1.5
V GS = 4 V
V GS = 4.5 V
8
4
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.0
0.5
V GS = 6 V V GS = 10 V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
4
8
12
16
20
24
1.6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D = 11 A
60
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = 10 V
50
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 11 A
40
1.2
30
1.0
0.8
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
24
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
24
10
V GS = 0 V
V DS = 5 V
16
T J = 125 o C
T J =
125 o C
1
12
8
T J = 25 o C
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
4
0
0.01
T J = -55 o C
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA7630 Rev.C 4
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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