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参数资料
| 型号： | FDMA8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
January 2014
FDMA8884
Single N-Channel Power Trench ? MOSFET
30 V, 6.5 A, 23 m Ω
Features
Max r DS(on) = 23 m Ω at V GS = 10 V, I D = 6.5 A
Max r DS(on) = 30 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 6.0 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
Fast switching speed
RoHS Compliant
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been optimized for r DS(on) switching performance.
Application
Primary Switch
Pin 1
D
D
G
Bottom Drain Contact
D
D
Drain
Source
D
G
D
S
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
Drain to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
Units
V
V GS
Gate to Source Voltage
(Note 3)
±20
V
Drain Current -Continuous (Package limited) T C = 25 °C
8.0
I D
-Continuous
T A = 25 °C
(Note 1a)
6.5
A
-Pulsed
25
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
1.9
0.7
-55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
65
180
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
884
Device
FDMA8884
Package
MicroFET 2x2
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA8884 Rev.C 4
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA905P | MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 |
| FDMB3800N | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| FDMC15N06 | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA905P | 功能描述:MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA908PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 12B 6QFN |
| FDMA910PZ | 功能描述:MOSFET P-CHAN -20V -9.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2307NZ | 功能描述:MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2308PZ | 功能描述:MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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