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参数资料
| 型号： | FDMA8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
NO DRAIN OR GATE
2X
0.10 C
2.000
6
1.00
4
TRACES ALLOWED IN
THIS AREA
2.000
0.10 C
1.05
(0.47)
1
3
1.35
0.66
2.30
PIN#1 LOCATION
2X
0.65 TYP
0.40 TYP
0.8 MAX
0.10 C
(0.20)
RECOMMENDED LAND PATTERN OPT 1
0.08 C
0.05
0.00
C
SEATING
PLANE
1.00
PIN #1 IDENT
1.000
(0.30)
6
4
0.800
0.33
0.20
1
3
(0.56)
1.05
0.95
1.05
(0.47)
1.35
0.66 2.30
1
3
6
4
0.65 TYP
0.40 TYP
0.65
1.30
0.25~0.35
0.10
C A B
RECOMMENDED LAND PATTERN OPT 2
0.05
C
A. DOES NOT FULLY CONFORM TO JEDEC REGISTRATION
MO-229 DATED AUG/2003
B. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M, 1994
D. DRAWING FILENAME: MKT-MLP06Lrev2.
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA8884 Rev.C 4
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA905P | MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 |
| FDMB3800N | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| FDMC15N06 | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA905P | 功能描述:MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA908PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 12B 6QFN |
| FDMA910PZ | 功能描述:MOSFET P-CHAN -20V -9.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2307NZ | 功能描述:MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2308PZ | 功能描述:MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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