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参数资料
| 型号： | FDMA905P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 6V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA905PFSDKR |
FDMA905P
Single P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-12 V, -10 A, 16 m Ω
October 2011
Features
Max r DS(on) = 16 m Ω at V GS = -4.5 V, I D = -10 A
Max r DS(on) = 21 m Ω at V GS = -2.5 V, I D = -8.9 A
Max r DS(on) = 82 m Ω at V GS = -1.8 V, I D = -4.5 A
Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package
MicroFET 2X2 mm
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS Compliant
General Description
This device is designed specifically for battery charge or load
switching in cellular handset and other ultraportable
applications. It features a MOSFET with low on-state resistance.
The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal
performance for its physical size and is well suited to linear mode
applications.
Pin 1
D
D
G
Bottom Drain Contact
Drain
Source
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-12
±8
Units
V
V
I D
Drain Current
-Continuous
-Pulsed
(Note 1a)
-10
-40
A
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
2.4
0.9
-55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case
6.9
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
A95
Device
FDMA905P
Package
MicroFET 2X2
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA905P Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMB3800N | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
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| FDMC15N06 | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA908PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 12B 6QFN |
| FDMA910PZ | 功能描述:MOSFET P-CHAN -20V -9.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2307NZ | 功能描述:MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2308PZ | 功能描述:MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB3800N | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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