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参数资料
| 型号： | FDMB3800N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMB3800NDKR |
August 2012
FDMB3800N
Dual N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30V, 4.8A, 40m :
Features
? Max r DS(on) = 40m : at V GS = 10V, I D = 4.8A
? Max r DS(on) = 51m : at V GS = 4.5V, I D = 4.3A
? Fast switching speed
? Low gate Charge
? High performance trench technology for extremely low r DS(on)
? High power and current handling capability.
General Description
These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using
Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that
has been especially tailored to minimize the on-state resistance
and yet maintain superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery
powered applications where low in-line power loss and fast
switching are required.
? RoHS Compliant
Q2
D2
D2
5
6
4
3
G2
S2
Q1
D1
D1
7
8
2
1
G1
S1
MicroFET 3X1.9
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
P D
Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
-Continuous
-Pulsed
T A = 25°C
T A = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
Note 1a)
(Note 1b)
4.8
9
1.6
0.75
A
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R T JA
R T JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
80
165
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
3800
Device
FDMB3800N
Package
MicroFET3X1.9
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMB3800N Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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