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参数资料
| 型号： | FDMB3800N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMB3800NDKR |
Dimensional Outline and Pad Layout
FDMB3800N Rev.C2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| FDMC15N06 | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
| FDMC2512SDC | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| FDMC2514SDC | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMB3800N_0610 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз |
| FDMB3800N_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 4.8A, 40m |
| FDMB3900AN | 功能描述:MOSFET 25V Dual N-Chanenl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB506P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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