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参数资料
| 型号： | FDMB3800N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMB3800NDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
V GS = 10V
6.0V
4.5V
3.5V
2.8
2.6
2.4
V GS = 3.0V
2.2
6
2
4
3.0V
1.8
1.6
3.5V
4.0V
4.5V
6.0V
1.4
2
1.2
0
2.5V
1
0.8
10V
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D = 4.8A
V GS = 10V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On - Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
0.102
I D = 2.4A
0.092
1.4
0.082
1.2
0.072
0.062
1
0.8
0.6
0.052
0.042
0.032
0.022
T J = 25 o C
T J = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. Normalized On - Resistance
vs Junction Temperature
15
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On- Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
125 C
12
V DS = 5V
T J = -55 o C
o
25 o C
1
V GS = 0V
T J = 125 C
o
9
0.1
25 C
-55 C
6
3
0
0.01
0.001
0.0001
o
o
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMB3800N Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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