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参数资料
| 型号： | FDMB3800N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 465pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMB3800NDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 4.8A
V DS = 10V
15V
600
500
f = 1MHz
V GS = 0 V
20V
6
4
400
300
200
C oss
C iss
2
0
100
0
C rss
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
r DS(on) LIMIT
6
5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
1
100us
1ms
4
3
V GS = 4.5V
V GS = 10V
10ms
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
R JA = 165 o C/W
T J = 25 o C
100ms
1s
10s
DC
2
1
R JA = 80°C/W
0.01
0
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
0.1
1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
25
50
75 100 125
o
150
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
180
SINGLE PULSE
150
R JA = 165°C/W
T A = 25°C
120
90
60
30
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDMB3800N Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMB506P | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB668P | 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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