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参数资料
| 型号： | FDMA905P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 6V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA905PFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
4.5
I D = -10 A
10000
3.0
V DD = -5 V
C iss
V DD = -6 V
1000
C oss
V DD = -7 V
1.5
C rss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
100
0
5
10
15
20
25
0.1
1
10
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
SINGLE PULSE
R θ JA = 145 o C/W
10
1 ms
10
T A = 25 o C
10 ms
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 145 o C/W
100 ms
1s
10 s
DC
1
T A = 25 o C
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1
-3
-2
-1
1
10
100
1000
2
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pluse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
R θ JA = 145 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
0.001
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA905P Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA908PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 12B 6QFN |
| FDMA910PZ | 功能描述:MOSFET P-CHAN -20V -9.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2307NZ | 功能描述:MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2308PZ | 功能描述:MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB3800N | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PwrTrch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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