- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDMA8884 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMA8884 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
25
20
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 4.5 V
3.5
3.0
V GS = 3.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
15
V GS = 4 V
V GS = 3.5 V
2.5
2.0
V GS = 4 V
10
5
1.5
V GS = 4.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
1.0
0
0
0.4
0.8
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.2 1.6
2.0
0.5
0
5
10
V GS = 6 V
15
V GS = 10 V
20
25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.5
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
80
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
I D = 6.5 A
V GS = 10 V
60
40
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 6.5 A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.7
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
25
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
30
V GS = 0 V
10
20
V DS = 5 V
T J = 150 o C
15
10
5
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55
o C
0
1
2
3
4
5
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA8884 Rev.C 4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA905P | MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 |
| FDMB3800N | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| FDMC15N06 | MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA905P | 功能描述:MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA908PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 12B 6QFN |
| FDMA910PZ | 功能描述:MOSFET P-CHAN -20V -9.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2307NZ | 功能描述:MOSFET 20V 2xCommon Drn Nch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMB2308PZ | 功能描述:MOSFET Dual Com Drain -20V P-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。