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参数资料
| 型号： | FDMA7672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
January 2014
FDMA7672
Single N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30 V, 9 A, 21 m Ω
Features
Max r DS(on) = 21 m Ω at V GS = 10 V, I D = 9 A
Max r DS(on) = 32 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 7 A
Low Profile - 0.8 mm maximum - in the new package
MicroFET 2x2 mm
Free from halogenated compounds and antimony oxides
RoHS compliant
General Description
This device has been designed to provide maximum efficiency
and thermal performance for synchronous buck converters. The
low r DS(on) and gate charge provide excellent switching
performance.
Application
DC – DC Buck Converters
Pin 1
D
D
G
Bottom Drain Contact
D
D
Drain
Source
D
G
D
S
D
D
S
MicroFET 2X2 (Bottom View)
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
±20
Units
V
V
I D
P D
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
T A = 25 °C
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
9
24
2.4
0.9
A
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case
6.9
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
672
Device
FDMA7672
Package
MicroFET 2x2
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA7672 Rev.C 6
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA8884 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 |
| FDMA905P | MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2 |
| FDMB3800N | MOSFET N-CH DUAL 30V MICROFET |
| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA8051L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 40V 6-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 40V Single N-Channel PowerTrenchMOSFET |
| FDMA86551L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 60V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMA8878 | 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 9A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA8884 | 功能描述:MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA905P | 功能描述:MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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