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参数资料
| 型号： | FDMA7672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 760pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MLP（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
24
20
V GS = 10 V
V GS = 6 V
V GS = 4 V
4.5
4.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3.5
V GS = 3.5 V
16
12
8
V GS = 4.5 V
V GS = 3.5 V
3.0
2.5
2.0
1.5
V GS = 4 V
V GS = 4.5 V
4
0
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.5 1.0 1.5
2.0
1.0
0.5
0
4
8
V GS = 6 V
12
16
V GS = 10 V
20
24
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.5
80
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
I D = 9 A
V GS = 10 V
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 9 A
1.1
1.0
0.9
0.8
40
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.7
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
24
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
24
10
V GS = 0 V
V DS = 5 V
16
T J = 125 o C
12
8
4
T J = 125 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA7672 Rev.C 6
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA8884 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2 |
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| FDMB3900AN | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-MLP |
| FDMB668P | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDMA905P | 功能描述:MOSFET -12V Single P-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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