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参数资料
| 型号： | FDMC2512SDC |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2 毫欧 @ 27A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 68nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4410pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
5000
8
I DSS = 27 A
C iss
6
V DD = 10 V
V DD = 13 V
V DD = 16 V
1000
C oss
4
2
0
100 f = 1 MHz
V GS = 0 V
50
C rss
0
10
20
30
40
50
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
160
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 1.9 C/W
V GS = 10 V
o
T J = 25 o C
120
10
T J = 125 o C
T J = 100 o C
80
40
V GS = 4.5 V
Limited by Package
1
0.01
0.1
1
10
100
500
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
300
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
2000
R θ JA = 105 C/W
T A = 25 C
100
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 us
1ms
10 ms
100 ms
1000
100
SINGLE PULSE
o
o
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 105 o C/W
T A = 25 o C
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC2512SDC Rev.C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC2514SDC | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC2523P | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ |
| FDMC2610 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| FDMC2674 | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| FDMC3020DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2514SDC | 功能描述:MOSFET 25V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P | 功能描述:MOSFET -150V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2523P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET?? -150V, -3A, 1.5?? |
| FDMC2610 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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