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参数资料
| 型号： | FDMC2674 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 220V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 366 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2674DKR |
November 2012
FDMC2674
N-Channel UltraFET Trench MOSFET
220V, 7.0A, 366m Ω
tm
Features
General Description
Max r DS(on) = 366m Ω at V GS = 10V, I D = 1.0A
UltraFET device combines characteristics
that enable
Typ Q g = 12.7nC at V GS = 10V
Low Miller charge
Low Q rr Body Diode
Optimized efficiency at high frequencies
UIS Capability ( Single Pulse and Repetitive Pulse)
RoHS Compliant
benchmark efficiency in power conversion applications.
Optimized for r DS(on) , low ESR, low total and Miller gate charge,
these devices are ideal for high frequency DC to DC converters.
Application
DC/DC converters and Off-Line UPS
Distributed Power Architectures
Top
Bottom
8
7
6
5
D D D D
D
5
4
G
1
2 3 4
G S S S
D
D
D
6
7
8
3
2
1
S
S
S
MLP 3.3x3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Silicon limited)
T C = 25°C
Ratings
220
±20
7.0
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25°C
(Note 1b)
1.0
A
-Pulsed
13.8
E AS
Single Pulse Avalanche Energy
(Note 3)
11
mJ
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
42
2.1
-55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
3.0
60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC2674
Device
FDMC2674
Package
MLP 3.3X3.3
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC2674 Rev.F3
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2674 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDMC2674_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366mヘ |
| FDMC2674_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366m?? |
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