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参数资料
| 型号： | FDMC2674 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 220V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 366 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2674DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
3.0
1.6
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = 10V
V GS = 7V
V GS = 5V
V GS = 4.5V
1.4
1.2
V GS = 4.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 5.0V
V GS = 7V
1.0
0.5
0.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0.8
V GS = 10V
0.0
0.5
1.0
1.5
0.5
1.0 1.5 2.0
2.5
3.0
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.4
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
0.8
2.0
I D = 1A
V GS = 10V
0.7
I D = 1A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0.6
1.6
1.2
0.5
0.4
T J = 150 o C
0.8
0.4
0.3
0.2
T J = 25 o C
-50
-25 0 25 50 75 100 125
150
4
8 12 16
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
3
2
V DD = 5V
T J = 150 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
1E-3
T J = -55 o C
0
2
3 4 5
6
1E-4
0.0
0.3 0.6 0.9
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMC2674 Rev.F3
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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