- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC2674 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC2674 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 220V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 366 毫欧 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2674DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 1A
2000
1000
C iss
V DD = 100V
6
100
4
C oss
2
f = 1MHz
10
V GS = 0V
C rss
0
0
3
6 9
12
15
5
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
2
30
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
1
10
1
r D S(on) LIMITED
100us
1ms
T J = 25 o C
0.1
SINGLE PULSE
10ms
100ms
T J =
125 o C
0.01
T J = MAX RATED
R θ JA = 135 o C/W
T A = 25 o C
1s
10s
DC
0.1
0.01
0.1
1
10
100
1E-3
0.1
1
10
100
1000
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
500
100
VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
R θ JA = 135 C/W
10
1
0.5
SINGLE PULSE
o
I = I 25
125
A
10
10
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDMC2674 Rev.F3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC3020DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| FDMC3612 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| FDMC4435BZ | MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 |
| FDMC510P | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP |
| FDMC5614P | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2674 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDMC2674_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366mヘ |
| FDMC2674_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench MOSFET 220V, 7.0A, 366m?? |
| FDMC3020DC | 功能描述:MOSFET 30V NChan Dual Cool PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC3300NZA | 功能描述:MOSFET 20V 8A 26 OHM MONOLITHIC COMM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。