- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC5614P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC5614P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1055pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC5614PDKR |
FDMC5614P
P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-60V, -13.5A, 100m Ω
September 2010
tm
Features
Max r DS(on) = 100m Ω at V GS = -10V, I D = -5.7A
Max r DS(on) = 135m Ω at V GS = -4.5V, I D = -4.4A
Low gate charge
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
High power and current handling capability
RoHS Compliant
General Description
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild
Semiconductor's advanced PowerTrench ? process. It has been
optimized for power management applications requiring a wide
range of gate drive voltage ratings (4.5V-20V).
Application
Power management
Load switch
Battery protection
Top
Bottom
D
5
4
G
Pin 1
S
S
S
G
D
D
D
D
D
D
D
6
7
8
3
2
1
S
S
S
MLP 3.3x3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V DS
V GS
I D
P D
T J , T STG
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Package limited)
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
T C = 25°C
T C = 25°C
T A = 25°C
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
(Note 1a)
-60
±20
-13.5
-14
-5.7
-23
42
2.1
-55 to +150
V
V
A
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
3.0
60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
5614P
Device
FDMC5614P
Package
Power 33
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC5614P Rev.C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC6296 | MOSFET N-CH 30V 11.5A LL 8MLP |
| FDMC6675BZ | MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33 |
| FDMC6890NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| FDMC7570S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
| FDMC7572S | MOSFET N-CH 25V 40A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC612PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC6296 | 功能描述:MOSFET 30V Sngl NCh Lgc Lvl PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。