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参数资料
| 型号： | FDMC5614P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 5.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1055pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC5614PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
2000
8
I D = -5.7A
V DD = -20V
1000
C iss
6
4
V DD = -30V
100
C oss
2
0
0
V DD = -40V
4 8 12
Q g , GATE CHARGE(nC)
16
10
0.1
C rss
f = 1MHz
V GS = 0V
1 10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
60
Figure 7. Gate Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
8
7
6
5
60
10
r DS(on) LIMITED
100us
R θ JA = 135 C/W
4
3
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
1
0.01
0.1 1 10
100
1E-3
0.1
1
10
100 200
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
150 – T A
I = I 25 ------------------------
R θ JA = 135 C/W
1000
100
10
1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
o
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
125
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDMC5614P Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMC6675BZ | 功能描述:MOSFET -30V 20A P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC6675BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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