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参数资料
| 型号： | FDMC2610 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2610DKR |
FDMC2610
N-Channel UltraFET Trench ? MOSFET
200V, 9.5A, 200m Ω
November 2012
Features
Max r DS(on) = 200m Ω at V GS = 10V, I D = 2.2A
Max r DS(on) = 215m Ω at V GS = 6V, I D = 1.5A
Low Profile - 1mm max in a Power 33
General Description
This N-Channel MOSFET is a rugged gate version of
Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench
process. It has been optimized for power management
applications.
RoHS Compliant
Application
DC - DC Conversion
Top
Bottom
8
7
6
5
D D D D
D
5
4 G
D
D
D
6
7
8
3 S
2 S
1 S
1
2 3 4
G S S S
Pin 1
MLP 3.3x3.3
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current -Continuous (Silicon limited)
T C = 25°C
Ratings
200
±20
9.5
Units
V
V
I D
-Continuous
T A = 25°C
(Note 1a)
2.2
A
-Pulsed
15
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
T C = 25°C
T A = 25°C
(Note 1a)
42
2.1
-55 to +150
W
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
3
60
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMC2610
Device
FDMC2610
Package
MLP 3.3x3.3
Reel Size
13 ’’
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC2610 Rev.C2
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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