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参数资料
| 型号： | FDMC2610 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2610DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
4
V DD =50V
V DD = 100V
V DD = 150V
1000
100
C iss
C oss
C rss
2
0
0
3
6 9
Q g , GATE CHARGE(nC)
12
15
10
0.1
f = 1MHz
V GS = 0V
1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 7. Gate Charge Characteristics
4
3
10
8
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 3 C/W
2
T J = 125 o C
T J = 25 o C
6
4
2
o
V GS = 6V
V GS = 10V
10
10
10
10
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
1
-3
-2 -1
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
0
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
40
10
r DS(on) LIMITED
500
100
V GS = 10V
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
150 – T
I = I 25
A
1
0.1
100us
1ms
10ms
100ms
10
CURRENT AS FOLLOWS:
------------------------
125
1
R
=135 C
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.001
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA =135 O C
T A = 25 O C
1
10
100
1s
DC
700
0.5
SINGLE PULSE
O
θ JA
-4 -3 -2
-1
0
1
2
3
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDMC2610 Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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