- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC2610 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC2610 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2610DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
15
10
5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 7V
V GS = 6V
V GS = 5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
V GS = 4.5V
V GS = 5V
V GS = 6V
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 7V
0
0
1 2
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
3
0.8
0
3
6 9
I D , DRAIN CURRENT(A)
12
15
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
600
I D = 1.4A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
500
400
300
T A = 150 o C
1.0
0.8
0.6
I D =2.2A
V GS = 10V
200
T A = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
100
4
5 6 7 8 9
10
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
9
6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
T J = 25 o C
T J =
-55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3 4 5
6
1E-3
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMC2610 Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC2674 | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| FDMC3020DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| FDMC3612 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| FDMC4435BZ | MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 |
| FDMC510P | MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2610 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 200V 9.5A POWER33-8 |
| FDMC2610 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDMC2610_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 9.5A, 200mヘ |
| FDMC2610_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel UltraFET Trench?? MOSFET 200V, 9.5A, 200m?? |
| FDMC2674 | 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。