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参数资料
| 型号： | FDMC6890NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| 产品目录绘图： | Power33, 6-MLP Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.92W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC6890NZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
V DS = 16V, V GS = 0V
V GS = ±12V, V DS = 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
20
20
13
12
1
1
±10
±100
V
mV/° C
μ A
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th )
? T J
r DS(on)
g FS
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Drain to Source On Resistance
Forward Transconductance
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
V GS = 4.5V, I D = 4A
V GS = 2.5V, I D = 3A
V GS = 4.5V, I D = 4A
V GS = 2.5V, I D = 2A
V DS = V, I D =4A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.6
0.6
0.9
1.0
-3
-3
58
77
67
102
10
7
2
2
68
100
100
150
V
mV/°C
m ?
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
Q1
Q2
205
190
270
250
pF
C oss
C rss
R g
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 10V, V GS = 0V, f= 1MHZ
f = 1MHz
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
60
60
40
35
3.3
2.8
80
80
60
55
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q2
4
4
10
10
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g(2)
Q gs
Q gd
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge at 4.5V
Total Gate Charge at 2V
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
V DD = 10V, I D = 4A, R GEN = 6 ?
V GS = 0V to 4.5V
V DD = 10 V
I D = 4A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
13
12
10
7
6
6
2.4
1.8
1.4
0.6
0.4
0.5
0.9
0.8
22
21
19
14
12
12
3.4
2.6
1.9
0.8
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
FDMC6890NZ Rev.C
2
www.fairchildsemi.com
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