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参数资料
| 型号： | FDMC6890NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| 产品目录绘图： | Power33, 6-MLP Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.92W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC6890NZDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel)
10
3.0
8
6
V GS = 4.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 2.5V
2.5
2.0
V GS = 1.8V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 2.5V
4
1.5
V GS = 4.5V
2
V GS = 1.8V
1.0
0
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
0.5
0
2
4 6 8
10
12
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On Region Characteristics
1.5
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 14. Normalized on-Resistance v S Drain
Current and Gate Voltage
200
1.4
1.3
I D = 4A
V GS = 4.5V
160
I D = 4A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
1.1
120
T J = 25 o C
T J = 150 o C
1.0
0.9
0.8
80
0.7
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
40
2
3 4 5
6
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 15. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
6
5
4
3
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
10
1
0.1
0.01
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
1
0
0.0
T J = -55 o C
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
1E-3
0.2
T J = -55 o C
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMC6890NZ Rev.C
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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