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参数资料
| 型号： | FDMC6890NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| 产品目录绘图： | Power33, 6-MLP Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.92W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC6890NZDKR |
Typical Characteristics
4.5
400
4.0
3.5
3.0
V DD = 8V
V DD = 10V
C iss
2.5
2.0
V DD = 12V
100
C oss
1.5
1.0
0.5
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0.0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
20
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 19. Gate Charge Characteristics
6
5
4
20
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 20. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
3
2
T J = 25 o C
1
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
100us
1ms
10ms
1s
10s
TA = 25 O C
1
1E-3
T J = 125 o C
0.01 0.1
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
1
0.1
0.01
0.1
LIMITED BY r DS(on) 100ms
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
DC
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
1 10 60
Figure 21. Unclamped Inductive
Switching Capability
200
Figure 22. Forward Bias Safe
Operating Area
100
V GS = 10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T A
10
SINGLE PULSE
I = I 25
------------------------
125
T A = 25 o C
10
10
10
10
10
10
10
10
1
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 23. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDMC6890NZ Rev.C
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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