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参数资料
| 型号： | FDMC6890NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A POWER33 |
| 产品目录绘图： | Power33, 6-MLP Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.92W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC6890NZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
Source to Drain Diode Forward Voltage V GS = 0V, I S = 4A
Q1
Q2
0.94
0.92
1.25
1.25
V
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I F = 4A, di/dt = 100A/s
Q1
Q2
Q1
Q2
18
17
9
10
27
26
14
15
ns
nC
Notes:
1: R θ JA is determined with the device mounted on a 1in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by
the user's board design.
2: Pulse Test: Pulse Width < 30 0 μ s, Duty cycle < 2.0%.
a. 65°C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
b. 150°C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
FDMC6890NZ Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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