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参数资料
| 型号： | FDMC7672 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 16.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3890pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 16.9 A
5000
C iss
6
V DD = 10 V
V DD = 15 V
1000
C oss
V DD = 20 V
4
2
100 f = 1 MHz
0
50
V GS = 0 V
C rss
0
9
18
27
36
45
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
70
60
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
40
V GS = 10 V
T J = 125
o C
T J = 100 o C
30
V GS = 4.5 V
20
10
R θ JC = 4.0 C/W
Limited by Package
o
1
0.01
0.1
1
10
100 200
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
70
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
2000
100 μ s
1000
V GS = 10 V
10
1 ms
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
T A = 25 o C
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.1
1
10
1s
10 s
DC
100 200
10
1
0.5
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
-4 -3 -2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7672 Rev.C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7672_F065 | 功能描述:MOSFET PT7, NCH, 30/20V in MLP 3.3x3. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672_F073 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 16.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672S | 功能描述:MOSFET 30V/20A N-Chan PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672S_F125 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 14.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7672S_F126 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 14.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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