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参数资料
| 型号： | FDMC7692 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.5 毫欧 @ 13.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC7692DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 13.3 A
V DD = 10 V
3000
1000
C iss
6
V DD = 15 V
V DD = 20 V
C oss
4
100
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
3
6
9
12
15
18
21
20
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
10
50
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
T J = 100 o C
30
20
V GS = 10 V
R T JC = 5.0 C/W
T J =
125 o C
10
Limited by Package
o
V GS = 4.5 V
1
0.01
0.1
1
10
30
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
50
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 P s
1 ms
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
V GS = 10 V
100
1
10 ms
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
100 ms
10
R T JA = 125 C/W
T A = 25 o C
10
10
10
10
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
T A = 25 o C
0.1
1
10
1s
10 s
DC
100
1
0.5
SINGLE PULSE
R T JA = 125 o C/W
-4 -3 -2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC7692 Rev.C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC7692_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench? MOSFET |
| FDMC7692_F073 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 13.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7692_F126 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 13.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7692_F127 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN 13.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC7692S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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