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参数资料
| 型号： | FDMC8026S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench®, SyncFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3165pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MLP（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 19 A
5000
8
6
4
V DD = 15 V
V DD = 10 V
V DD = 20 V
1000
C iss
C oss
C rss
2
0
100
50
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
8
16
24
32
40
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
80
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
R θ JC = 3.4 C/W
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
T J = 125 o C
60
40
20
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
Limited by Package
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
200
100
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 μ s
1 ms
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
1000
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1s
10 s
DC
1
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8026S Rev.C6
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8030 | MOSFET N-CH 40V DUAL 8-MLP |
| FDMC8200S | MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
| FDMC8200 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| FDMC8321L | MOSFET N-CH 44V 49A 8-PQFN |
| FDMC8462 | MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8030 | 功能描述:MOSFET FPS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8032L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 40V 8-MLP 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET 40V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC8200 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor |
| FDMC8200_F128 | 功能描述:MOSFET Dual N-CH 30V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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